- K3N4C1AHTD-GC12YOO

K3N4C1AHTD-GC12YOO
제조업체 부품 번호
K3N4C1AHTD-GC12YOO
제조업 자
-
제품 카테고리
반도체 - 3
간단한 설명
K3N4C1AHTD-GC12YOO SAMSUNG QFP
데이터 시트 다운로드
다운로드
K3N4C1AHTD-GC12YOO 가격 및 조달

가능 수량

41970 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 K3N4C1AHTD-GC12YOO 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. K3N4C1AHTD-GC12YOO 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. K3N4C1AHTD-GC12YOO가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
K3N4C1AHTD-GC12YOO 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
K3N4C1AHTD-GC12YOO 매개 변수
내부 부품 번호EIS-K3N4C1AHTD-GC12YOO
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈K3N4C1AHTD-GC12YOO
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류QFP
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) K3N4C1AHTD-GC12YOO
관련 링크K3N4C1AHTD, K3N4C1AHTD-GC12YOO 데이터 시트, - 에이전트 유통
K3N4C1AHTD-GC12YOO 의 관련 제품
22.5792MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) DSC1101BI5-022.5792.pdf
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 40mA 50mW/sr @ 40mA 20° 10-DIP SFH 4945.pdf
22µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 316 mOhm 1816 (4540 Metric) MPI4040R4-220-R.pdf
740L6011.3S Fairchi SMD or Through Hole 740L6011.3S.pdf
NSR15ADXV6T5G ONS Call NSR15ADXV6T5G.pdf
OR3T80-7PS208 ORCA QFP OR3T80-7PS208.pdf
TPS2112APWRG4 TI/BB MSOP-8 TPS2112APWRG4.pdf
DABN MAXIM SMD DABN.pdf
33166D2T NEC TO-263 33166D2T.pdf
5555153-3 TYCO SMD or Through Hole 5555153-3.pdf
PZM9.1NB3 9.1V PHI SOT-23 PZM9.1NB3 9.1V.pdf
PX0837/2M00 Samtec SMD or Through Hole PX0837/2M00.pdf