창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDV2S10FS(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDV2S10FS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
| 전류 - 최대 | - | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 3.4pF @ 2.5V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | - | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDV2S10FS(TPL3)TR JDV2S10FSTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDV2S10FS(TPL3) | |
| 관련 링크 | JDV2S10FS, JDV2S10FS(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 08051A161KAT2A | 160pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A161KAT2A.pdf | |
![]() | PAT0603E56R2BST1 | RES SMD 56.2 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E56R2BST1.pdf | |
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![]() | FMC3A / C3 | FMC3A / C3 ROHM SOT-153 | FMC3A / C3.pdf | |
![]() | KDS10-312 | KDS10-312 OK SMD or Through Hole | KDS10-312.pdf | |
![]() | HM6264BLFI-10T | HM6264BLFI-10T HIT SMD | HM6264BLFI-10T.pdf | |
![]() | BCR198W E6327/WRs | BCR198W E6327/WRs INFINEON SOT-323 | BCR198W E6327/WRs.pdf | |
![]() | SY10ELT22ZGTR | SY10ELT22ZGTR MICREL SOP8 | SY10ELT22ZGTR.pdf | |
![]() | 1210Y1000104JXT | 1210Y1000104JXT SYFER SMD | 1210Y1000104JXT.pdf | |
![]() | M27500A20RC2S06 | M27500A20RC2S06 Mini NA | M27500A20RC2S06.pdf | |
![]() | EP1C3T144C5N | EP1C3T144C5N ALTERA QFP-144 | EP1C3T144C5N.pdf |