창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-JDV2S09FSTPL3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | JDV2S09FS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
전류 - 최대 | - | |
정전 용량 @ Vr, F | 11.1pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | - | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | JDV2S09FS(TPL3) JDV2S09FSTPL3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | JDV2S09FSTPL3 | |
관련 링크 | JDV2S09, JDV2S09FSTPL3 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | EXB-38V362JV | RES ARRAY 4 RES 3.6K OHM 1206 | EXB-38V362JV.pdf | |
![]() | 768161821GPTR13 | RES ARRAY 15 RES 820 OHM 16SOIC | 768161821GPTR13.pdf | |
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![]() | CSC09A0147K0GEJ | CSC09A0147K0GEJ VISHAY CSCSeries47kOhm2 | CSC09A0147K0GEJ.pdf | |
![]() | M51412 | M51412 ORIGINAL DIP | M51412.pdf | |
![]() | MBM81164164A-100FN | MBM81164164A-100FN FUJITSU TSOP54 | MBM81164164A-100FN.pdf | |
![]() | BUZ92. | BUZ92. SIE TO-220 | BUZ92..pdf |