창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDP2S08SC(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDP2S08SC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 50mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 무연 | |
| 공급 장치 패키지 | SC2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDP2S08SC(TPL3)TR JDP2S08SCTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDP2S08SC(TPL3) | |
| 관련 링크 | JDP2S08SC, JDP2S08SC(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 416F406XXAAR | 40.61MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406XXAAR.pdf | |
![]() | 54S251BEBJC | 54S251BEBJC TI CDIP | 54S251BEBJC.pdf | |
![]() | ISL6232CAZA | ISL6232CAZA INTERSIL QSOP-28 | ISL6232CAZA.pdf | |
![]() | S15CG4B2 | S15CG4B2 IR SMD or Through Hole | S15CG4B2.pdf | |
![]() | BR1010W | BR1010W RECTRON SMD or Through Hole | BR1010W.pdf | |
![]() | C1005CH1H0R75DC | C1005CH1H0R75DC TDKMURATATAIYO SMD or Through Hole | C1005CH1H0R75DC.pdf | |
![]() | W360 | W360 ORIGINAL SO-8 | W360.pdf | |
![]() | RC0402FR-0710K | RC0402FR-0710K ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0402FR-0710K.pdf | |
![]() | TTS14N(19.20000MHZ) | TTS14N(19.20000MHZ) ORIGINAL SMD or Through Hole | TTS14N(19.20000MHZ).pdf | |
![]() | UMX-1347-D16-G | UMX-1347-D16-G ORIGINAL SMD or Through Hole | UMX-1347-D16-G.pdf | |
![]() | L9120S | L9120S ST SOP | L9120S.pdf | |
![]() | LQP10A1N8C00T1M00-01/T265 | LQP10A1N8C00T1M00-01/T265 MURATA SMD | LQP10A1N8C00T1M00-01/T265.pdf |