창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDP2S02AFS(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDP2S02AFS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 50mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDP2S02AFS(TPL3)TR JDP2S02AFSTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDP2S02AFS(TPL3) | |
| 관련 링크 | JDP2S02AF, JDP2S02AFS(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 250R05L180FV4T | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L180FV4T.pdf | |
![]() | MKT1820715015 | 150µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 1.673" L x 1.181" W (42.50mm x 30.00mm) | MKT1820715015.pdf | |
![]() | P4KE7.5CATR | TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41 | P4KE7.5CATR.pdf | |
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![]() | SC105B-470 | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 210 mOhm Max Nonstandard | SC105B-470.pdf | |
![]() | MXP190-Y04 | MXP190-Y04 ORIGINAL SMD or Through Hole | MXP190-Y04.pdf | |
![]() | MMSZ5254B-GS08(27V) | MMSZ5254B-GS08(27V) VISHAY SOD-123 | MMSZ5254B-GS08(27V).pdf | |
![]() | FS8853A-36CA | FS8853A-36CA FORTUNE SOT153 | FS8853A-36CA.pdf | |
![]() | SG340-12K | SG340-12K SG TO-3 | SG340-12K.pdf | |
![]() | APW7072CE | APW7072CE ORIGINAL SMD or Through Hole | APW7072CE.pdf | |
![]() | SD4012 | SD4012 ST SMD or Through Hole | SD4012.pdf | |
![]() | BB659C-02VE6777 | BB659C-02VE6777 INFINEON SMD or Through Hole | BB659C-02VE6777.pdf |