창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDH2S01FSTPL3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDH2S01FS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 4V | |
| 전류 - 최대 | 25mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.6pF @ 0.2V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | - | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDH2S01FS (TPL3) JDH2S01FS(TPL3) JDH2S01FSTPL3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDH2S01FSTPL3 | |
| 관련 링크 | JDH2S01, JDH2S01FSTPL3 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | GRT21BC8YA225KE13L | 2.2µF 35V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRT21BC8YA225KE13L.pdf | |
![]() | BYG20J-E3/TR3 | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | BYG20J-E3/TR3.pdf | |
![]() | 1330-78F | 270µH Unshielded Inductor 47mA 25 Ohm Max 2-SMD | 1330-78F.pdf | |
![]() | M1330-56K | 33µH Unshielded Inductor 130mA 3.4 Ohm Max Nonstandard | M1330-56K.pdf | |
![]() | RSF200JB-73-5K6 | RES 5.6K OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-5K6.pdf | |
![]() | PT7M6218NLXC4E | PT7M6218NLXC4E PERICOM SC70-4 | PT7M6218NLXC4E.pdf | |
![]() | 88PAHE02-BIF2 | 88PAHE02-BIF2 MARVELL BGA | 88PAHE02-BIF2.pdf | |
![]() | FMP-200JT-52-100R | FMP-200JT-52-100R YAGEO DIPSOP | FMP-200JT-52-100R.pdf | |
![]() | STPRI620CT | STPRI620CT ST TO220 | STPRI620CT.pdf | |
![]() | PQVI8641614 | PQVI8641614 ORIGINAL DIP-16 | PQVI8641614.pdf | |
![]() | D80C50HC137 | D80C50HC137 NSC DIP40 | D80C50HC137.pdf | |
![]() | LM305AH/883C | LM305AH/883C NS SMD or Through Hole | LM305AH/883C.pdf |