창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-J112_D26Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | J111-13, MMBFJ111-13 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 14/Apr/2015 | |
PCN 포장 | TO92 Packing Updates 01/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N채널 | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | 35V | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 5mA @ 15V | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 1V @ 1µA | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | 50옴 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
전력 - 최대 | 625mW | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | J112_D26Z-ND J112_D26ZTR J112D26Z | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | J112_D26Z | |
관련 링크 | J112_, J112_D26Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
RCP1206B62R0GWB | RES SMD 62 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B62R0GWB.pdf | ||
HHV100JR-73-5M6 | RES 5.6M OHM 1W 5% AXIAL | HHV100JR-73-5M6.pdf | ||
CG202-1 | CG202-1 HARRIS SOP16 | CG202-1.pdf | ||
VL1HR47MF6R | VL1HR47MF6R NOVER SMD or Through Hole | VL1HR47MF6R.pdf | ||
951-4C-12DP | 951-4C-12DP ORIGINAL DIP-SOP | 951-4C-12DP.pdf | ||
TLE2425I | TLE2425I TI SOP8 | TLE2425I.pdf | ||
S1A12000 | S1A12000 UTLIAN SMD or Through Hole | S1A12000.pdf | ||
293D105X9025A2T | 293D105X9025A2T VIS SMD or Through Hole | 293D105X9025A2T.pdf | ||
TSUMP58KDT-LF-1 | TSUMP58KDT-LF-1 MSTAR QFP128 | TSUMP58KDT-LF-1.pdf | ||
NJU 7772F33-TE1 | NJU 7772F33-TE1 NEWJAPANRADIO SMD or Through Hole | NJU 7772F33-TE1.pdf | ||
GDZJ6.2C | GDZJ6.2C PANJIT/VISHAY DO-34 | GDZJ6.2C.pdf |