창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTZ550N055T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTZ550N055T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | FRFET®, SupreMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 550A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 595nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 40000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DE475 | |
| 공급 장치 패키지 | DE475 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTZ550N055T2 | |
| 관련 링크 | IXTZ550, IXTZ550N055T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ST180S08POV | ST180S08POV IR SMD or Through Hole | ST180S08POV.pdf | |
![]() | A1812X7R2200PF(JA002 | A1812X7R2200PF(JA002 ORIGINAL 1812 | A1812X7R2200PF(JA002.pdf | |
![]() | 1487EUB | 1487EUB MAXIM MSOP8 | 1487EUB.pdf | |
![]() | Z3A43Y470M101KAT2A | Z3A43Y470M101KAT2A KYOCERA SMD or Through Hole | Z3A43Y470M101KAT2A.pdf | |
![]() | PK70FG60 | PK70FG60 SanRex SMD or Through Hole | PK70FG60.pdf | |
![]() | CBJ | CBJ TI SOT23-5 | CBJ.pdf | |
![]() | DTB114ES | DTB114ES ORIGINAL SMD or Through Hole | DTB114ES.pdf | |
![]() | G23N60RUFD | G23N60RUFD FSC/ TO-3P | G23N60RUFD.pdf | |
![]() | WITH N2 | WITH N2 ORIGINAL BGA | WITH N2.pdf | |
![]() | 7MBR200VN120 | 7MBR200VN120 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR200VN120.pdf | |
![]() | NE5339D | NE5339D PHILIPS SOP14 | NE5339D.pdf |