창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTX4N300P3HV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTX4N300P3HV | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 3000V(3kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.5옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 139nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247HV | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTX4N300P3HV | |
| 관련 링크 | IXTX4N3, IXTX4N300P3HV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ESH1PCHM3/84A | DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA | ESH1PCHM3/84A.pdf | |
![]() | C503C-WAN-DA-WK-28 | C503C-WAN-DA-WK-28 CREE SMD or Through Hole | C503C-WAN-DA-WK-28.pdf | |
![]() | XC4310-7PQ208C | XC4310-7PQ208C XILINX QFP | XC4310-7PQ208C.pdf | |
![]() | LTC1843IS8#PBF | LTC1843IS8#PBF LINEAR CS8 | LTC1843IS8#PBF.pdf | |
![]() | AAH | AAH MAX QFN12 | AAH.pdf | |
![]() | HVD144KRF | HVD144KRF HITACHI SOD523 | HVD144KRF.pdf | |
![]() | ISP2046VE | ISP2046VE ORIGINAL QFP | ISP2046VE.pdf | |
![]() | AD5780ACPZ | AD5780ACPZ AD SMD or Through Hole | AD5780ACPZ.pdf | |
![]() | BV80605001911AQSLBLD | BV80605001911AQSLBLD INTEL SMD or Through Hole | BV80605001911AQSLBLD.pdf | |
![]() | UPD489001GC | UPD489001GC NEC QFP | UPD489001GC.pdf | |
![]() | USL1C100MDD1TD | USL1C100MDD1TD NICHICON DIP | USL1C100MDD1TD.pdf | |
![]() | MA142WK-(TX)(MU) | MA142WK-(TX)(MU) PANASONIC SMD or Through Hole | MA142WK-(TX)(MU).pdf |