창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTX40P50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(K,X)40P50P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 205nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTX40P50P | |
| 관련 링크 | IXTX40, IXTX40P50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | E92F451VND122MBA0T | 1200µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 58 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 85°C | E92F451VND122MBA0T.pdf | |
![]() | RDER72E152K1K1H03B | 1500pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.177" L x 0.124" W(4.50mm x 3.15mm) | RDER72E152K1K1H03B.pdf | |
| BP/GMA-500MA | FUSE FAST ACTING | BP/GMA-500MA.pdf | ||
![]() | CRL1206-FW-1R80ELF | RES SMD 1.8 OHM 1% 1/4W 1206 | CRL1206-FW-1R80ELF.pdf | |
![]() | CMF552K0000FKEB70 | RES 2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K0000FKEB70.pdf | |
![]() | KAB2402201NA31 0805 | KAB2402201NA31 0805 MATSUO SMD or Through Hole | KAB2402201NA31 0805.pdf | |
![]() | L4940D2T5TR | L4940D2T5TR SGS DPAK | L4940D2T5TR.pdf | |
![]() | C5411. | C5411. TOSHIBA TO-3P | C5411..pdf | |
![]() | BD82HM65/QNJH ES | BD82HM65/QNJH ES INTEL BGA | BD82HM65/QNJH ES.pdf | |
![]() | SMAJ8.0A-ND | SMAJ8.0A-ND JXND DO-214AC(SMA) | SMAJ8.0A-ND.pdf | |
![]() | IRM-H140-TR2 | IRM-H140-TR2 EVERLIGHT ROHS | IRM-H140-TR2.pdf | |
![]() | FW82801FRW QF51ES | FW82801FRW QF51ES INTEL BGA | FW82801FRW QF51ES.pdf |