창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTX200N10L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTK200N10L2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 540nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTX200N10L2 | |
| 관련 링크 | IXTX200, IXTX200N10L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | B43305C9277M82 | 270µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 500 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305C9277M82.pdf | |
![]() | 402F3071XIDT | 30.72MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F3071XIDT.pdf | |
![]() | D75P66CS11 | D75P66CS11 NEC DIP-24 | D75P66CS11.pdf | |
![]() | EN25P40-50HCP | EN25P40-50HCP EON SOP | EN25P40-50HCP.pdf | |
![]() | APL5901 | APL5901 ANPEC SMD or Through Hole | APL5901.pdf | |
![]() | SI3012KM | SI3012KM SANKEN SMD or Through Hole | SI3012KM.pdf | |
![]() | DS1589S | DS1589S DALLAS SOP | DS1589S.pdf | |
![]() | B41821B5477M000 | B41821B5477M000 EPCOS DIP2 | B41821B5477M000.pdf | |
![]() | PC7710 | PC7710 NEC DIP-16 | PC7710.pdf | |
![]() | CBT6832 | CBT6832 Philips SMD or Through Hole | CBT6832.pdf | |
![]() | RP1800CGQW | RP1800CGQW RICHPOWER WDFN6 | RP1800CGQW.pdf | |
![]() | CG61155-511 | CG61155-511 FUJ BGA | CG61155-511.pdf |