창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT88N30P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,K,Q,T)88N30P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 44A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT88N30P | |
| 관련 링크 | IXTT88, IXTT88N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | C2012CH2A562J125AA | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 CH 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012CH2A562J125AA.pdf | |
![]() | 2000-3R3-V-RC | 3.3µH Unshielded Toroidal Inductor 11.1A 5.3 mOhm Max Radial | 2000-3R3-V-RC.pdf | |
![]() | ERJ-14NF3303U | RES SMD 330K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF3303U.pdf | |
![]() | UPD26C1001EAGW | UPD26C1001EAGW NEC SOP | UPD26C1001EAGW.pdf | |
![]() | C7CC-12288-F32AR(3*7) | C7CC-12288-F32AR(3*7) FUJITSU SMD or Through Hole | C7CC-12288-F32AR(3*7).pdf | |
![]() | 133E 64740 | 133E 64740 TOSHIBA QFP | 133E 64740.pdf | |
![]() | HLG9011 | HLG9011 ORIGINAL SMD or Through Hole | HLG9011.pdf | |
![]() | WR48505/300XC | WR48505/300XC ORIGINAL SMD or Through Hole | WR48505/300XC.pdf | |
![]() | 2SA1980MG-AT | 2SA1980MG-AT AUK SMD or Through Hole | 2SA1980MG-AT.pdf | |
![]() | HA13481AFP | HA13481AFP hit SMD or Through Hole | HA13481AFP.pdf | |
![]() | IXDI414SIA | IXDI414SIA IXYS SOP8 | IXDI414SIA.pdf | |
![]() | KMB011N40DA | KMB011N40DA KEC-- D-PAK | KMB011N40DA.pdf |