IXYS IXTT75N20L2
IXTT75N20L2 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 12,685.70000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IXTT75N20L2 재고가 있습니다. 우리는 IXYS 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IXYS 전자 부품 전문. IXTT75N20L2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IXTT75N20L2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IXTT75N20L2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXTT75N20L2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT75N20L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT75N20L2 | |
| 관련 링크 | IXTT75, IXTT75N20L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
IXTT75N20L2 의 관련 제품
 | C1812C474M5RACTU | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C474M5RACTU.pdf | |
 | MLK1005S5N6D | 5.6nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 300 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLK1005S5N6D.pdf | |
 | B20J1K0 | RES 1K OHM 20W 5% AXIAL | B20J1K0.pdf | |
 | PMB2800EV3.7 | PMB2800EV3.7 iNFINEON BGA1313 | PMB2800EV3.7.pdf | |
| XC2S300-7FT256C | XC2S300-7FT256C XILINX BGA | XC2S300-7FT256C.pdf | |
| LH5164AHN-102 | LH5164AHN-102 SHARR SOT | LH5164AHN-102.pdf | |
| MAX186CCAP+T | MAX186CCAP+T MAXIM SSOP20 | MAX186CCAP+T.pdf | |
| 1N1200BR | 1N1200BR MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N1200BR.pdf | |
| AN75LVD584PW | AN75LVD584PW TI TSSOP | AN75LVD584PW.pdf | |
| CY360 | CY360 INTEL DIP40 | CY360.pdf | |
| R451005.MR(5A) | R451005.MR(5A) LITTELFUSE 1808 | R451005.MR(5A).pdf |