창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT30N60L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,T)30N60L2 | |
| 주요제품 | Linear L2™ MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 335nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT30N60L2 | |
| 관련 링크 | IXTT30, IXTT30N60L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | PD104R-103K | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.38A 50 mOhm Max Nonstandard | PD104R-103K.pdf | |
![]() | CRE22F4BWWNE | CRE22F4BWWNE Cherry SMD or Through Hole | CRE22F4BWWNE.pdf | |
![]() | TLE7714G-K1 | TLE7714G-K1 INFINEON SSOP52 | TLE7714G-K1.pdf | |
![]() | GT48303AB0-BBA1 | GT48303AB0-BBA1 MARVELL SMD or Through Hole | GT48303AB0-BBA1.pdf | |
![]() | 1W,,8.2V | 1W,,8.2V ORIGINAL SMD or Through Hole | 1W,,8.2V.pdf | |
![]() | M48T35-120PC1 | M48T35-120PC1 ST DIP | M48T35-120PC1.pdf | |
![]() | DF13C-12P-1.25V 51 | DF13C-12P-1.25V 51 HRS SMD or Through Hole | DF13C-12P-1.25V 51.pdf | |
![]() | 2SK186-E | 2SK186-E HITACHI TO-92 | 2SK186-E.pdf | |
![]() | CT-01-BP | CT-01-BP N/A STOCK | CT-01-BP.pdf |