창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT24P20 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTH,T24P20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT24P20 | |
| 관련 링크 | IXTT2, IXTT24P20 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | LP221F35CDT | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP221F35CDT.pdf | |
![]() | BB56502VH7902XTSA1 | DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79 | BB56502VH7902XTSA1.pdf | |
![]() | 103R-562FS | 5.6µH Unshielded Inductor 220mA 2 Ohm Max 2-SMD | 103R-562FS.pdf | |
![]() | CMF55102K00BEEA | RES 102K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55102K00BEEA.pdf | |
![]() | OPB876P51 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT | OPB876P51.pdf | |
![]() | PX2AG2XX002BAAAX | Pressure Sensor 29.01 PSI (200 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) BSPP 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | PX2AG2XX002BAAAX.pdf | |
![]() | AT24C02BN-SU27 D | AT24C02BN-SU27 D ATMEL SOP-8 | AT24C02BN-SU27 D.pdf | |
![]() | MCM6226WJ30 | MCM6226WJ30 MOTOROLA SOJ32 | MCM6226WJ30.pdf | |
![]() | WD8116 | WD8116 WDC DIP | WD8116.pdf | |
![]() | SI4800DY-TI | SI4800DY-TI SI SO-8 | SI4800DY-TI.pdf | |
![]() | DAC-HX12BGM | DAC-HX12BGM HITACHI SMD or Through Hole | DAC-HX12BGM.pdf |