창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTT16P20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 30 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTT16P20 | |
관련 링크 | IXTT1, IXTT16P20 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
MKP385630016JPI4T0 | 30µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) | MKP385630016JPI4T0.pdf | ||
CM309E4915200AQNT | 4.9152MHz ±30ppm 수정 30pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E4915200AQNT.pdf | ||
MM3Z33VT3G | DIODE ZENER 33V 200MW SOD323 | MM3Z33VT3G.pdf | ||
KMOC3022H | KMOC3022H COSMO DIP6 | KMOC3022H.pdf | ||
T90-1H-24V | T90-1H-24V ORIGINAL NULL | T90-1H-24V.pdf | ||
K4420041H | K4420041H INTEL BGA | K4420041H.pdf | ||
KT5032N26000DCW28T | KT5032N26000DCW28T KYOCERA SMD | KT5032N26000DCW28T.pdf | ||
K7A803600M-QC14 | K7A803600M-QC14 SAMSUNG QFP | K7A803600M-QC14.pdf | ||
SIS962L UA | SIS962L UA SIS SMD or Through Hole | SIS962L UA.pdf | ||
CAT6221-PLTD-GT4 | CAT6221-PLTD-GT4 CATALYST TSOT23-6 | CAT6221-PLTD-GT4.pdf | ||
GRM21BR71E154KA01D | GRM21BR71E154KA01D MURATA SMD | GRM21BR71E154KA01D.pdf | ||
CXA1243N-T1 | CXA1243N-T1 SONY SOP | CXA1243N-T1.pdf |