창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTT16N10D2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(H,T)16N10D2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 8A, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 830W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTT16N10D2 | |
관련 링크 | IXTT16, IXTT16N10D2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
CBR08C708C1GAC | 0.70pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C708C1GAC.pdf | ||
SPW35N60C3 | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247 | SPW35N60C3.pdf | ||
93J13R | RES 13 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J13R.pdf | ||
P51-3000-A-O-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-A-O-I12-4.5V-000-000.pdf | ||
ST310 | ST310 ST PLCC | ST310.pdf | ||
D74702 | D74702 EPSON SMD or Through Hole | D74702.pdf | ||
sck102 | sck102 ORIGINAL SMD or Through Hole | sck102.pdf | ||
AM460SO16 | AM460SO16 AMG SMD or Through Hole | AM460SO16.pdf | ||
P221G-04 | P221G-04 LCULCT SMD or Through Hole | P221G-04.pdf | ||
MC54HC168J | MC54HC168J MOT CDIP | MC54HC168J.pdf |