창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT140N10P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Q,T)140N10P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT140N10P | |
| 관련 링크 | IXTT14, IXTT140N10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | LD051A561JAB2A | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD051A561JAB2A.pdf | |
![]() | BAP64-05-TP | DIODE RF PIN 175V 100MA SOT23 | BAP64-05-TP.pdf | |
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![]() | CY2280PVXC-115 | CY2280PVXC-115 ORIGINAL SSOP | CY2280PVXC-115.pdf | |
![]() | UJ360483 | UJ360483 ORIGINAL SMD or Through Hole | UJ360483.pdf | |
![]() | 2SC4738-Y(TE85L) | 2SC4738-Y(TE85L) TOSH SMD or Through Hole | 2SC4738-Y(TE85L).pdf | |
![]() | CY2308ZC-5H | CY2308ZC-5H CYPRESS TSSOP-16 | CY2308ZC-5H.pdf | |
![]() | R2J20651NPG3G303 | R2J20651NPG3G303 RENESAS SMD or Through Hole | R2J20651NPG3G303.pdf |