창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTR30N25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTR30N25 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 136nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3950pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTR30N25 | |
| 관련 링크 | IXTR3, IXTR30N25 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AI-83-33E-66.670000Y | OSC XO 3.3V 66.67MHZ OE | SIT8008AI-83-33E-66.670000Y.pdf | |
![]() | CMF604K0200FKRE | RES 4.02K OHM 1W 1% AXIAL | CMF604K0200FKRE.pdf | |
![]() | CW0051R600JE12HS | RES 1.6 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW0051R600JE12HS.pdf | |
![]() | Y145322K0000F9L | RES 22K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y145322K0000F9L.pdf | |
![]() | TLP351H | TLP351H TOSHIBA DIP8 | TLP351H.pdf | |
![]() | ADP3205AJ | ADP3205AJ ADP QFN | ADP3205AJ.pdf | |
![]() | KDK-EJLY006F20KU. | KDK-EJLY006F20KU. IRS SMD or Through Hole | KDK-EJLY006F20KU..pdf | |
![]() | Z44800-80DZ | Z44800-80DZ LG SOJ | Z44800-80DZ.pdf | |
![]() | ABEG-ET-DP103-G | ABEG-ET-DP103-G Quatech SMD or Through Hole | ABEG-ET-DP103-G.pdf | |
![]() | RC1206JRG072M2 | RC1206JRG072M2 YAGEO SMD or Through Hole | RC1206JRG072M2.pdf | |
![]() | CL10C2R4CBNC | CL10C2R4CBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10C2R4CBNC.pdf |