창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTR170P10P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTR170P10P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarP™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 108A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 85A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTR170P10P | |
관련 링크 | IXTR17, IXTR170P10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
F80800016 | 8MHz ±50ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | F80800016.pdf | ||
416F38433CDR | 38.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38433CDR.pdf | ||
AT29V010A-70JC | AT29V010A-70JC ATMEL PLCC | AT29V010A-70JC.pdf | ||
K4Q170411C-BC50 | K4Q170411C-BC50 SAMSUNG SOJ | K4Q170411C-BC50.pdf | ||
TD12-DSL35SEP | TD12-DSL35SEP HALO DIP10 | TD12-DSL35SEP.pdf | ||
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UF1010(PJ) | UF1010(PJ) PANJIT DO-41 | UF1010(PJ).pdf |