창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ30N50L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,T)30N50L2 Linear L2 Power Mosfets | |
| 주요제품 | Linear L2™ MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ30N50L2 | |
| 관련 링크 | IXTQ30, IXTQ30N50L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RG3216P-2670-B-T1 | RES SMD 267 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2670-B-T1.pdf | |
![]() | CRCW0201430KJNED | RES SMD 430K OHM 5% 1/20W 0201 | CRCW0201430KJNED.pdf | |
![]() | PALCE22V10D-70PI | PALCE22V10D-70PI ORIGINAL SMD or Through Hole | PALCE22V10D-70PI.pdf | |
![]() | ELF23F022A | ELF23F022A panasonic SMD or Through Hole | ELF23F022A.pdf | |
![]() | Q62702P5410 | Q62702P5410 OsramOptoSemicon SMD or Through Hole | Q62702P5410.pdf | |
![]() | AAO020 | AAO020 CMD USOP-8P | AAO020.pdf | |
![]() | TMCHA1A106KTRF | TMCHA1A106KTRF HITACHI SMD | TMCHA1A106KTRF.pdf | |
![]() | DA1R018H91EZ1500 | DA1R018H91EZ1500 JAE 18P | DA1R018H91EZ1500.pdf | |
![]() | LTL-4222N-0C1 | LTL-4222N-0C1 LITEON 2010 | LTL-4222N-0C1.pdf | |
![]() | BSZ123N08NS3 | BSZ123N08NS3 INFINEON SMD or Through Hole | BSZ123N08NS3.pdf | |
![]() | N1F62514 | N1F62514 ON SOT-223 | N1F62514.pdf |