창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ200N06P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTQ200N06P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 400A, 15V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 714W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ200N06P | |
| 관련 링크 | IXTQ20, IXTQ200N06P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SS8P6CHM3/86A | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO277A | SS8P6CHM3/86A.pdf | |
![]() | T493D227K006CH6210 | T493D227K006CH6210 KEMET SMD or Through Hole | T493D227K006CH6210.pdf | |
![]() | RGF15K | RGF15K ZOWIE DO-214AC | RGF15K.pdf | |
![]() | 3SK181-6 | 3SK181-6 SANYO SOT-143 | 3SK181-6.pdf | |
![]() | S-8120CNB-DRB-TF | S-8120CNB-DRB-TF SEIKO SOT234 | S-8120CNB-DRB-TF.pdf | |
![]() | FV80503200(SL27J/2.8V) | FV80503200(SL27J/2.8V) INTEL SMD or Through Hole | FV80503200(SL27J/2.8V).pdf | |
![]() | CTMC1210-R56J | CTMC1210-R56J CntralTech NA | CTMC1210-R56J.pdf | |
![]() | PT7M7020NLT | PT7M7020NLT PERICOM SOT23-5 | PT7M7020NLT.pdf | |
![]() | HCNW139.S | HCNW139.S QTC SOIC-85 | HCNW139.S.pdf | |
![]() | MSM8660 | MSM8660 QUALCOMM BGA | MSM8660.pdf | |
![]() | 250VXR270M25X30 | 250VXR270M25X30 RUBYCON SMD or Through Hole | 250VXR270M25X30.pdf |