창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ150N15P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(K,Q)150N15P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 714W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ150N15P | |
| 관련 링크 | IXTQ15, IXTQ150N15P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | B32924C3824K189 | 0.82µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP), Metallized Radial | B32924C3824K189.pdf | |
![]() | 1N5386CE3/TR12 | DIODE ZENER 180V 5W T18 | 1N5386CE3/TR12.pdf | |
| CDH115NP-220LC | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 60 mOhm Max Nonstandard | CDH115NP-220LC.pdf | ||
![]() | ERJ-14NF2211U | RES SMD 2.21K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF2211U.pdf | |
![]() | B43750A4158M000 | B43750A4158M000 EPCOS DIP | B43750A4158M000.pdf | |
![]() | U1t | U1t PHILIPS SOT-23 | U1t.pdf | |
![]() | 2SC5938 | 2SC5938 MIT SOT-23 | 2SC5938.pdf | |
![]() | BZX84C15-7-F(15V) | BZX84C15-7-F(15V) DIODES SMD or Through Hole | BZX84C15-7-F(15V).pdf | |
![]() | DMJ2088-255 | DMJ2088-255 Skyworks SMD or Through Hole | DMJ2088-255.pdf | |
![]() | HM526805TT10H | HM526805TT10H HITACHI SMD or Through Hole | HM526805TT10H.pdf | |
![]() | GT17H-4P-2H B | GT17H-4P-2H B HRS SMD or Through Hole | GT17H-4P-2H B.pdf |