창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ150N06P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTQ150N06P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 480W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTQ150N06P | |
관련 링크 | IXTQ15, IXTQ150N06P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | GRM1886R1H8R0DZ01D | 8pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886R1H8R0DZ01D.pdf | |
![]() | MKP385410016JD02W0 | 0.1µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385410016JD02W0.pdf | |
![]() | CDV30EF560FO3 | MICA | CDV30EF560FO3.pdf | |
![]() | RCL12258K87FKEG | RES SMD 8.87K OHM 2W 2512 WIDE | RCL12258K87FKEG.pdf | |
![]() | CMF60909R00FKRE70 | RES 909 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60909R00FKRE70.pdf | |
![]() | TAH20P4R70JE | RES 4.7 OHM 20W 5% TO220 | TAH20P4R70JE.pdf | |
![]() | SS-12F131 | SS-12F131 DSL SMD or Through Hole | SS-12F131.pdf | |
![]() | AN8812NK | AN8812NK PANASONIC DIP-24 | AN8812NK.pdf | |
![]() | CAT809MTBI-G | CAT809MTBI-G Son/ON/Catalyst SOT-23 | CAT809MTBI-G.pdf | |
![]() | SN55452B-JG | SN55452B-JG ti dip | SN55452B-JG.pdf | |
![]() | CX131443R-T4 | CX131443R-T4 SONY SMD or Through Hole | CX131443R-T4.pdf | |
![]() | 2SD965L T/B | 2SD965L T/B UTC TO92 | 2SD965L T/B.pdf |