창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP90N055T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Y,A,P)90N055T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2770pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP90N055T2 | |
| 관련 링크 | IXTP90N, IXTP90N055T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 25J22RE | RES 22 OHM 5W 5% AXIAL | 25J22RE.pdf | |
![]() | 63658-1 | 63658-1 AMP SMD or Through Hole | 63658-1.pdf | |
![]() | 5Y1/0805-5.1V | 5Y1/0805-5.1V TOSHIBA SOD-323 | 5Y1/0805-5.1V.pdf | |
![]() | 6821SMP3 | 6821SMP3 INF BGA | 6821SMP3.pdf | |
![]() | MIS-19581/59 | MIS-19581/59 F DIP | MIS-19581/59.pdf | |
![]() | MN1871620WKT | MN1871620WKT ORIGINAL QFP | MN1871620WKT.pdf | |
![]() | 1091680000(QV3POLPOCON) | 1091680000(QV3POLPOCON) Weidmuller SMD or Through Hole | 1091680000(QV3POLPOCON).pdf | |
![]() | 1206AC222KATM-CT | 1206AC222KATM-CT AVX SMD or Through Hole | 1206AC222KATM-CT.pdf | |
![]() | FJH3D16-100N | FJH3D16-100N FBJM SMD or Through Hole | FJH3D16-100N.pdf | |
![]() | BA6340 | BA6340 ROHM SIP-8 | BA6340.pdf | |
![]() | XC3S100E-4VQG100 | XC3S100E-4VQG100 XILINX VTQP | XC3S100E-4VQG100.pdf | |
![]() | 16MS515M5X5 | 16MS515M5X5 RUBYCON DIP | 16MS515M5X5.pdf |