창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP8N65X2M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTP8N65X2M | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 32W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP8N65X2M | |
관련 링크 | IXTP8N, IXTP8N65X2M 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
7B-12.000MAAE-T | 12MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B-12.000MAAE-T.pdf | ||
FXO-HC735R-33.1776 | 33.1776MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC735R-33.1776.pdf | ||
TMP121GRTZ-REEL7 | TMP121GRTZ-REEL7 AD SOT23-5 | TMP121GRTZ-REEL7.pdf | ||
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DCN247 | DCN247 ORIGINAL c | DCN247.pdf | ||
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19207-0001 | 19207-0001 MOLEX SMD or Through Hole | 19207-0001.pdf | ||
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SLA24C04S | SLA24C04S INFINEON SMD or Through Hole | SLA24C04S.pdf | ||
S4L80A1X01-30J | S4L80A1X01-30J LGPHILI QFP | S4L80A1X01-30J.pdf | ||
1825B103K302NXTM | 1825B103K302NXTM NOVACAPACITOR SMD or Through Hole | 1825B103K302NXTM.pdf | ||
232232905227 | 232232905227 PHIBccomponents PHI-AC050R22OHM5 | 232232905227.pdf |