창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP86N20T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P,Q)86N20T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 86A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 480W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP86N20T | |
관련 링크 | IXTP86, IXTP86N20T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
06031A910GAT2A | 91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A910GAT2A.pdf | ||
1812HC100KAT1A\SB | 10pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HC100KAT1A\SB.pdf | ||
SMBJ64A-HR | TVS DIODE 64VWM 103VC | SMBJ64A-HR.pdf | ||
IRFR540ZPBF | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | IRFR540ZPBF.pdf | ||
C60HC216 | C60HC216 MERLINGERIN SMD or Through Hole | C60HC216.pdf | ||
HD46504P | HD46504P HIT DIP | HD46504P.pdf | ||
M30624MGM-3016P | M30624MGM-3016P MITSUBISHI QFP | M30624MGM-3016P.pdf | ||
ADS7807 | ADS7807 BB SOP | ADS7807.pdf | ||
LX858433CP | LX858433CP LINFINITY TO220 | LX858433CP.pdf | ||
RK14K1220A25.RK14K12B0A0E | RK14K1220A25.RK14K12B0A0E ALPS SMD or Through Hole | RK14K1220A25.RK14K12B0A0E.pdf | ||
T1039N18TOF | T1039N18TOF ORIGINAL SMD or Through Hole | T1039N18TOF.pdf | ||
LOGT671-J-1-0+L-1-0-R18 | LOGT671-J-1-0+L-1-0-R18 OSRAMOPTO SMD or Through Hole | LOGT671-J-1-0+L-1-0-R18.pdf |