창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP75N10P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Q)75N10P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP75N10P | |
| 관련 링크 | IXTP75, IXTP75N10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | BFC238650474 | 0.47µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.732" L x 1.181" W (44.00mm x 30.00mm) | BFC238650474.pdf | |
|  | 416F38423CLT | 38.4MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38423CLT.pdf | |
|  | 1N4932 | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | 1N4932.pdf | |
|  | HM1W51DPR000H6 | HM1W51DPR000H6 FCI 48TUBE | HM1W51DPR000H6.pdf | |
|  | AD890JP-REEL | AD890JP-REEL AD PLCC | AD890JP-REEL.pdf | |
|  | P715D1A06 | P715D1A06 ON SOP | P715D1A06.pdf | |
|  | DS1849B-002 | DS1849B-002 MAXIM CSBGA | DS1849B-002.pdf | |
|  | MM5Z43VT1G | MM5Z43VT1G ON SMD or Through Hole | MM5Z43VT1G.pdf | |
|  | 2190F3 | 2190F3 ORIGINAL SOP8 | 2190F3.pdf | |
|  | 10LF1-061800-01 | 10LF1-061800-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10LF1-061800-01.pdf | |
|  | C1608COG1H5R1CT000A(0603-5.1P) | C1608COG1H5R1CT000A(0603-5.1P) TDK SMD or Through Hole | C1608COG1H5R1CT000A(0603-5.1P).pdf | |
|  | AT49F1614AT-12TI | AT49F1614AT-12TI AT TSOP | AT49F1614AT-12TI.pdf |