창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP50N20P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Q)50N20P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2720pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP50N20P | |
| 관련 링크 | IXTP50, IXTP50N20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 100YXF330MEFC16X25 | 330µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 100YXF330MEFC16X25.pdf | |
![]() | C0402C111J5GALTU | 110pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C111J5GALTU.pdf | |
![]() | C0805C302F3GACTU | 3000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C302F3GACTU.pdf | |
![]() | ABLS-LR-15.000MHZ-T | 15MHz ±50ppm 수정 18pF 10옴 0°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-LR-15.000MHZ-T.pdf | |
![]() | FXO-HC525-25 | 25MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 25mA Enable/Disable | FXO-HC525-25.pdf | |
![]() | DSA1-16D | DIODE AVALANCHE 1.6KV 2.3A | DSA1-16D.pdf | |
![]() | AC1206JR-0718RL | RES SMD 18 OHM 5% 1/4W 1206 | AC1206JR-0718RL.pdf | |
![]() | CW02B3K600JE70HS | RES 3.6K OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B3K600JE70HS.pdf | |
![]() | 471003.NRT1L | 471003.NRT1L LITTELFUSE SMD or Through Hole | 471003.NRT1L.pdf | |
![]() | 72299 | 72299 HARRIS SMD or Through Hole | 72299.pdf | |
![]() | DAC912AE | DAC912AE ADI QQ- | DAC912AE.pdf | |
![]() | FHW1210HC-R10JGT | FHW1210HC-R10JGT FHA 1210 | FHW1210HC-R10JGT.pdf |