창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP4N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P,Y)4N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP4N65X2 | |
관련 링크 | IXTP4N, IXTP4N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
08055A5R6JAT4A | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A5R6JAT4A.pdf | ||
102S42E510JV4E | 51pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E510JV4E.pdf | ||
BFC237155183 | 0.018µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) | BFC237155183.pdf | ||
LU18735 | LU18735 TI DIP | LU18735.pdf | ||
PN2369A,126 | PN2369A,126 NXP DISCRETE | PN2369A,126.pdf | ||
MB113T313/P82A250 | MB113T313/P82A250 CHIPS PLCC | MB113T313/P82A250.pdf | ||
G6EK-134P-US-U-5V | G6EK-134P-US-U-5V ORIGINAL SMD or Through Hole | G6EK-134P-US-U-5V.pdf | ||
S7125F/SOT-89 | S7125F/SOT-89 AUK SMD or Through Hole | S7125F/SOT-89.pdf | ||
MM3077DYREG | MM3077DYREG MITSUMI SOT-6 | MM3077DYREG.pdf | ||
STK394-110 | STK394-110 SANYO SMD or Through Hole | STK394-110.pdf | ||
HC93M | HC93M TI SOP14 | HC93M.pdf | ||
WP92512U | WP92512U ORIGINAL DIP-24 | WP92512U.pdf |