IXYS IXTP2R4N50P
IXTP2R4N50P 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,280.00000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IXTP2R4N50P 재고가 있습니다. 우리는 IXYS 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IXYS 전자 부품 전문. IXTP2R4N50P 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IXTP2R4N50P가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IXTP2R4N50P 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXTP2R4N50P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP2R4N50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(P,Y)2R4N50P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.75옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP2R4N50P | |
| 관련 링크 | IXTP2R, IXTP2R4N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
IXTP2R4N50P 의 관련 제품
 | SMCJ85CA-HRAT7 | TVS DIODE 85VWM 137VC | SMCJ85CA-HRAT7.pdf | |
 | SMAJ5947E3/TR13 | DIODE ZENER 82V 3W DO214AC | SMAJ5947E3/TR13.pdf | |
| 47303.5,3.5A | 47303.5,3.5A ORIGINAL SMD or Through Hole | 47303.5,3.5A.pdf | |
| K6T4016U3C-TB10 | K6T4016U3C-TB10 SAMSUNG TSOP-44 | K6T4016U3C-TB10.pdf | |
| SP4412ACN. | SP4412ACN. SIPEX SOP-8 | SP4412ACN..pdf | |
| LW8301L50T | LW8301L50T NEC NULL | LW8301L50T.pdf | |
| 25.346.3653.0 | 25.346.3653.0 AUK SMD or Through Hole | 25.346.3653.0.pdf | |
| LB-303VA/VK | LB-303VA/VK ROHM DIPSOP | LB-303VA/VK.pdf | |
| TMS470R1VF55BA | TMS470R1VF55BA TI SMD or Through Hole | TMS470R1VF55BA.pdf | |
| LTL816KETNN-AF | LTL816KETNN-AF LITEON SMD or Through Hole | LTL816KETNN-AF.pdf |