창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP2N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTY2N65X2, IXTP2N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP2N65X2 | |
| 관련 링크 | IXTP2N, IXTP2N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | BCV47E6433HTMA1 | TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-23 | BCV47E6433HTMA1.pdf | |
![]() | DLFL-0147-12D5 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 12A DCR 38 mOhm | DLFL-0147-12D5.pdf | |
![]() | AC0402JR-0743KL | RES SMD 43K OHM 5% 1/16W 0402 | AC0402JR-0743KL.pdf | |
![]() | ERJ-T06J912V | RES SMD 9.1K OHM 5% 1/4W 0805 | ERJ-T06J912V.pdf | |
![]() | RT0805BRC0724K9L | RES SMD 24.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC0724K9L.pdf | |
![]() | TNPW0603193KBEEA | RES SMD 193K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603193KBEEA.pdf | |
![]() | RCS060317K4FKEA | RES SMD 17.4K OHM 1% 1/4W 0603 | RCS060317K4FKEA.pdf | |
![]() | SMBT1108LT1G | SMBT1108LT1G ORIGINAL SMD or Through Hole | SMBT1108LT1G.pdf | |
![]() | CEJMK316BJ476ML | CEJMK316BJ476ML ORIGINAL SMD or Through Hole | CEJMK316BJ476ML.pdf | |
![]() | P6600M6G | P6600M6G NIKO-SEM SOT23-6 | P6600M6G.pdf | |
![]() | RVD-25V471MH10-R | RVD-25V471MH10-R ELNA SMD | RVD-25V471MH10-R.pdf | |
![]() | SH203-C20, 3P 20A | SH203-C20, 3P 20A ABB SMD or Through Hole | SH203-C20, 3P 20A.pdf |