창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP1N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | INTx1N80P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP1N80P | |
| 관련 링크 | IXTP1, IXTP1N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445W32D24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32D24M57600.pdf | |
![]() | ERJ-3GEYJ361V | RES SMD 360 OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ361V.pdf | |
![]() | MRS25000C1054FRP00 | RES 1.05M OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1054FRP00.pdf | |
![]() | RSF3FB8R25 | RES MO 3W 8.25 OHM 1% AXIAL | RSF3FB8R25.pdf | |
![]() | P51-1000-A-R-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - M12 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-A-R-P-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | UN5213-TW | UN5213-TW PANasonic SMD or Through Hole | UN5213-TW.pdf | |
![]() | Z86E7316VSG | Z86E7316VSG ZILOG PLCC | Z86E7316VSG.pdf | |
![]() | TS862AIDT | TS862AIDT ST SOP8 | TS862AIDT.pdf | |
![]() | 2SD2391 T100Q | 2SD2391 T100Q ROHM SOT89 | 2SD2391 T100Q.pdf | |
![]() | UB2-9SNR | UB2-9SNR NEC SMD or Through Hole | UB2-9SNR.pdf | |
![]() | BA6354FS | BA6354FS ROHM SOP | BA6354FS.pdf | |
![]() | MAX14885EETL+GH7 | MAX14885EETL+GH7 MAXIM QFN | MAX14885EETL+GH7.pdf |