창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP130N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA130N10T, IXTP130N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP130N10T | |
| 관련 링크 | IXTP13, IXTP130N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | CM309E8000000BQKT | 8MHz ±50ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E8000000BQKT.pdf | |
![]() | SIT3809AI-C-18NY | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA | SIT3809AI-C-18NY.pdf | |
![]() | 2510-66K | 56µH Unshielded Inductor 62mA 12 Ohm Max Nonstandard | 2510-66K.pdf | |
![]() | ERJ-PA3J911V | RES SMD 910 OHM 5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3J911V.pdf | |
![]() | RN60D8253F(825KOHM) | RN60D8253F(825KOHM) DALE SMD or Through Hole | RN60D8253F(825KOHM).pdf | |
![]() | 046269008001846+ | 046269008001846+ Kyocera/Avx Connector | 046269008001846+.pdf | |
![]() | LMX324 | LMX324 ORIGINAL SOP14.DIP14.TSSOP14 | LMX324.pdf | |
![]() | C0603COG1H5R0C | C0603COG1H5R0C TDK SMD | C0603COG1H5R0C.pdf | |
![]() | MR26V25605J-0C | MR26V25605J-0C OKI SOP | MR26V25605J-0C.pdf | |
![]() | KIA7912F | KIA7912F KEC DPAK | KIA7912F.pdf | |
![]() | RK73B2HLTED470J | RK73B2HLTED470J KOA SMD or Through Hole | RK73B2HLTED470J.pdf |