창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP120P065T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P)120P065T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 65V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 298W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP120P065T | |
| 관련 링크 | IXTP120, IXTP120P065T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9002AI-13N25DX | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA | SIT9002AI-13N25DX.pdf | |
![]() | NKN1WSJR-52-0R5 | RES 0.5 OHM 1W 5% AXIAL | NKN1WSJR-52-0R5.pdf | |
![]() | LR2F39K | RES 39.0K OHM 3/4W 1% AXIAL | LR2F39K.pdf | |
![]() | 29LV160BE-90PFTN-E1 | 29LV160BE-90PFTN-E1 ORIGINAL TSOP | 29LV160BE-90PFTN-E1.pdf | |
![]() | ADM6318ARJZ | ADM6318ARJZ AD SOT23-5 | ADM6318ARJZ.pdf | |
![]() | ICS954217AGT | ICS954217AGT INTEGRATEDCIRCUITSYSTEMS SMD or Through Hole | ICS954217AGT.pdf | |
![]() | CD52-82UH | CD52-82UH LY SMD | CD52-82UH.pdf | |
![]() | MC8640HX1250HE | MC8640HX1250HE ORIGINAL SMD or Through Hole | MC8640HX1250HE.pdf | |
![]() | NES/143 | NES/143 INFINEON SOT-143 | NES/143.pdf | |
![]() | K4N1G164GE-HC11 | K4N1G164GE-HC11 SAMSUNG BGA | K4N1G164GE-HC11.pdf |