창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP110N055T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P)110N055T | |
PCN 단종/ EOL | IXT Series 30/Oct/2012 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchMV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 67nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3080pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP110N055T | |
관련 링크 | IXTP110, IXTP110N055T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
G4BTB20K | G4BTB20K NOBLE SMD55 | G4BTB20K.pdf | ||
2000ECA | 2000ECA ORIGINAL DIP28 | 2000ECA.pdf | ||
T5401-2L(ROHS) | T5401-2L(ROHS) ORIGINAL SOT23-3 | T5401-2L(ROHS).pdf | ||
2SB768-T1-K | 2SB768-T1-K ROHM SOT-252 | 2SB768-T1-K.pdf | ||
74LX1G70CTR | 74LX1G70CTR sgs INSTOCKPACK3000 | 74LX1G70CTR.pdf | ||
BAIL4(M) | BAIL4(M) NEC TO92 | BAIL4(M).pdf | ||
P80C652IBP | P80C652IBP PHILIPS DIP-40 | P80C652IBP.pdf | ||
S-80816CNNB/B8B | S-80816CNNB/B8B SEIKO SOT-343 | S-80816CNNB/B8B.pdf | ||
FX6A-100S-0.8SV2(92) | FX6A-100S-0.8SV2(92) HRS SMD | FX6A-100S-0.8SV2(92).pdf | ||
T491U686M010AS | T491U686M010AS KEMET SMD or Through Hole | T491U686M010AS.pdf | ||
LQN2A47NK04M | LQN2A47NK04M MURATA SMD or Through Hole | LQN2A47NK04M.pdf | ||
2SK2067 | 2SK2067 ORIGINAL SOT-263 | 2SK2067.pdf |