창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTK120P20T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 740nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 73000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264(IXTK) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTK120P20T | |
| 관련 링크 | IXTK12, IXTK120P20T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D3R3CLPAJ | 3.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R3CLPAJ.pdf | |
![]() | MLG1005S56NHTD25 | 56nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.3 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S56NHTD25.pdf | |
![]() | 4501R-120M | 25µH Shielded Toroidal Inductor 1.4A 90 mOhm Max Nonstandard | 4501R-120M.pdf | |
![]() | RC0402DR-07845KL | RES SMD 845K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-07845KL.pdf | |
![]() | RP73D2A14R3BTG | RES SMD 14.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A14R3BTG.pdf | |
![]() | DFNA1003DT1 | RES ARRAY 4 RES 100K OHM 8VDFN | DFNA1003DT1.pdf | |
![]() | HT7130A | HT7130A HOLTEK TO-92 | HT7130A.pdf | |
![]() | STC90LE516RD | STC90LE516RD stc qfp | STC90LE516RD.pdf | |
![]() | SN82S137J | SN82S137J TI DIP | SN82S137J.pdf | |
![]() | IRGBC30UD | IRGBC30UD IR SMD or Through Hole | IRGBC30UD.pdf | |
![]() | BZX83C4V | BZX83C4V ORIGINAL BULK | BZX83C4V.pdf | |
![]() | 1825093-3 | 1825093-3 AMP SMD or Through Hole | 1825093-3.pdf |