창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTK102N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTK102N65X2, IXTX102N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 102A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 51A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 152nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264(IXTK) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTK102N65X2 | |
| 관련 링크 | IXTK102, IXTK102N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 0SOO05.6Z | FUSE EDISON PLUG 5.6A 125VAC | 0SOO05.6Z.pdf | |
![]() | FDB8880 | MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB | FDB8880.pdf | |
![]() | RMCF2010FT120R | RES SMD 120 OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT120R.pdf | |
![]() | RT1206DRD079K53L | RES SMD 9.53K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD079K53L.pdf | |
![]() | F02607-04U-LF | F02607-04U-LF CHIMEICorporatio SMD or Through Hole | F02607-04U-LF.pdf | |
![]() | PS9306 | PS9306 RENESAS SOP6 | PS9306.pdf | |
![]() | LTC6101HVACMS8#TRPBF | LTC6101HVACMS8#TRPBF LT SMD or Through Hole | LTC6101HVACMS8#TRPBF.pdf | |
![]() | BU9540KV-E2. | BU9540KV-E2. ROHM QFP80 | BU9540KV-E2..pdf | |
![]() | PRN10016N1002J | PRN10016N1002J CALIFORNIAMICRODEVICES ORIGINAL | PRN10016N1002J.pdf | |
![]() | UB1112C-L5 | UB1112C-L5 FOXCONN SMD or Through Hole | UB1112C-L5.pdf | |
![]() | MPSA06-AT | MPSA06-AT KEC TO-92 | MPSA06-AT.pdf |