창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH80N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTH80N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 144nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7753pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH80N65X2 | |
관련 링크 | IXTH80, IXTH80N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D5R1CXBAC | 5.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1CXBAC.pdf | |
![]() | ESH3C-M3/9AT | DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB | ESH3C-M3/9AT.pdf | |
![]() | S0603-101NJ3S | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 610 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-101NJ3S.pdf | |
![]() | TNPW2010510RBETF | RES SMD 510 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010510RBETF.pdf | |
![]() | 0805F683M500NT | 0805F683M500NT FH SMD or Through Hole | 0805F683M500NT.pdf | |
![]() | VL85C30-08PC | VL85C30-08PC VLSI DIP | VL85C30-08PC.pdf | |
![]() | 45008070 | 45008070 AD DIP 24 | 45008070.pdf | |
![]() | AIC1730-33CVTR | AIC1730-33CVTR AIC SOT23-5 | AIC1730-33CVTR.pdf | |
![]() | BAR63-02W(G) | BAR63-02W(G) INFINEON SOD-523 | BAR63-02W(G).pdf | |
![]() | SFH4505 | SFH4505 OSRAM SMD or Through Hole | SFH4505.pdf | |
![]() | D78(1) | D78(1) NEC CAN3 | D78(1).pdf |