창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH6N80A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,M)6N80(A) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH6N80A | |
| 관련 링크 | IXTH6, IXTH6N80A 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1H270JZ01D | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H270JZ01D.pdf | |
![]() | RCS040241R2FKED | RES SMD 41.2 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040241R2FKED.pdf | |
![]() | SM77VA-150.0M | SM77VA-150.0M PLETRONICS SMD | SM77VA-150.0M.pdf | |
![]() | ACN | ACN ROHM SOT23 | ACN.pdf | |
![]() | 221N3M | 221N3M NAIS SON | 221N3M.pdf | |
![]() | GFT90B12 | GFT90B12 HITACHI STUD | GFT90B12.pdf | |
![]() | 4532-100UH/4532-100 | 4532-100UH/4532-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4532-100UH/4532-100.pdf | |
![]() | RS10K511JT510R | RS10K511JT510R ORIGINAL SMD or Through Hole | RS10K511JT510R.pdf | |
![]() | RFMR0210 | RFMR0210 MOT DIP | RFMR0210.pdf | |
![]() | MLG1608A6N8D | MLG1608A6N8D TDK SMD or Through Hole | MLG1608A6N8D.pdf | |
![]() | HYH524AF0.0 | HYH524AF0.0 ORIGINAL SMD or Through Hole | HYH524AF0.0.pdf | |
![]() | Y-M447FR1210 | Y-M447FR1210 POWER-ONE SMB | Y-M447FR1210.pdf |