창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH6N120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,T)6N120 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH6N120 | |
| 관련 링크 | IXTH6, IXTH6N120 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-S14F2213U | RES SMD 221K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F2213U.pdf | |
![]() | AA2512FK-072K7L | RES SMD 2.7K OHM 1% 1W 2512 | AA2512FK-072K7L.pdf | |
![]() | E32.0000C | E32.0000C EPSON SOJ.4P | E32.0000C.pdf | |
![]() | N25Q032A13EF840E/N25Q032A13EF840F | N25Q032A13EF840E/N25Q032A13EF840F MICRON PDFN-8 | N25Q032A13EF840E/N25Q032A13EF840F.pdf | |
![]() | 1N6001 | 1N6001 MICROSEMI SMD | 1N6001.pdf | |
![]() | LA7786V-TI | LA7786V-TI SANYO SMD | LA7786V-TI.pdf | |
![]() | M51955BFP-CF1J | M51955BFP-CF1J ORIGINAL SOP-8 | M51955BFP-CF1J.pdf | |
![]() | 1016D | 1016D ORIGINAL SMD or Through Hole | 1016D.pdf | |
![]() | L9484-1LF | L9484-1LF ST ST | L9484-1LF.pdf | |
![]() | K9F1G08ROM-JIBO | K9F1G08ROM-JIBO SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1G08ROM-JIBO.pdf | |
![]() | KMC3S150RY | KMC3S150RY THINKING SMD or Through Hole | KMC3S150RY.pdf | |
![]() | GT-48212-P-6 | GT-48212-P-6 GALILEO QFP | GT-48212-P-6.pdf |