창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH52P10P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P,Q)52P10P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2845pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH52P10P | |
| 관련 링크 | IXTH52, IXTH52P10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SRR1003-3R9M | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 70 mOhm Max Nonstandard | SRR1003-3R9M.pdf | |
![]() | H4P61K9DZA | RES 61.9K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P61K9DZA.pdf | |
![]() | CS61584-IQ3 | CS61584-IQ3 NSC QFP | CS61584-IQ3.pdf | |
![]() | STS3DPFS30L | STS3DPFS30L ST SOP-8 | STS3DPFS30L.pdf | |
![]() | ICS8308AGI | ICS8308AGI ICS SOP24 | ICS8308AGI.pdf | |
![]() | L3374 | L3374 ORIGINAL SMD or Through Hole | L3374.pdf | |
![]() | CFS06V3T1R50 | CFS06V3T1R50 TA-I SMD | CFS06V3T1R50.pdf | |
![]() | M37762MCA-BA4GP | M37762MCA-BA4GP ORIGINAL LQFP | M37762MCA-BA4GP.pdf | |
![]() | K9K8GO8UOB-PCBO | K9K8GO8UOB-PCBO SAMSUNG TSOP48 | K9K8GO8UOB-PCBO.pdf | |
![]() | LQW18AR16G00D(LQW1608AR16G00T1M00-03 | LQW18AR16G00D(LQW1608AR16G00T1M00-03 MuRata 1608 0603 | LQW18AR16G00D(LQW1608AR16G00T1M00-03.pdf | |
![]() | BHQ/89 | BHQ/89 ROHM SOT-89 | BHQ/89.pdf |