창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH15N50L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P)15N50L2 | |
| 주요제품 | Linear L2™ MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH15N50L2 | |
| 관련 링크 | IXTH15, IXTH15N50L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RS1D-E3/5AT | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | RS1D-E3/5AT.pdf | |
![]() | CRCW1206200KJNTA | RES SMD 200K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206200KJNTA.pdf | |
![]() | RC1608J391 | RC1608J391 SAMSUNG RES | RC1608J391.pdf | |
![]() | M27C256B90C1B | M27C256B90C1B ST PLCC-32 | M27C256B90C1B.pdf | |
![]() | APT546-227-1333 | APT546-227-1333 APT SOT-227 | APT546-227-1333.pdf | |
![]() | 216T9NAAGA12FH(9000-32M) | 216T9NAAGA12FH(9000-32M) ATI BGA | 216T9NAAGA12FH(9000-32M).pdf | |
![]() | MCP6L1T-E/OT | MCP6L1T-E/OT MIC SMD or Through Hole | MCP6L1T-E/OT.pdf | |
![]() | lm4861mx-nopb | lm4861mx-nopb nsc SMD or Through Hole | lm4861mx-nopb.pdf | |
![]() | 1206 330K J | 1206 330K J TASUND SMD or Through Hole | 1206 330K J.pdf | |
![]() | UPD75116HGC-126-AB8 | UPD75116HGC-126-AB8 NEC SMD or Through Hole | UPD75116HGC-126-AB8.pdf | |
![]() | ELXA800LGC153TCC0N | ELXA800LGC153TCC0N NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ELXA800LGC153TCC0N.pdf | |
![]() | ICS8085BACJ | ICS8085BACJ OKI SOIC16 | ICS8085BACJ.pdf |