창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH140P10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(T,H)140P10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 400nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 31400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 568W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH140P10T | |
| 관련 링크 | IXTH14, IXTH140P10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | GJM1555C1H6R7WB01D | 6.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H6R7WB01D.pdf | |
![]() | CP00052R400KB14 | RES 2.4 OHM 5W 10% AXIAL | CP00052R400KB14.pdf | |
![]() | AR02DTD24R9 | AR02DTD24R9 VikingTechCorporation SMD or Through Hole | AR02DTD24R9.pdf | |
![]() | SI4403DYTE2E3 | SI4403DYTE2E3 VISHAY SMD or Through Hole | SI4403DYTE2E3.pdf | |
![]() | 100R-JMDSS-G-1-TF( | 100R-JMDSS-G-1-TF( JST NA | 100R-JMDSS-G-1-TF(.pdf | |
![]() | GSA-H20L | GSA-H20L HLDS SMD or Through Hole | GSA-H20L.pdf | |
![]() | BZX84-C9V1215 | BZX84-C9V1215 N/A SMD or Through Hole | BZX84-C9V1215.pdf | |
![]() | DAC1403D160HW | DAC1403D160HW NXP 80-HTQFP | DAC1403D160HW.pdf | |
![]() | B41336A8108T | B41336A8108T SIEMENS SMD or Through Hole | B41336A8108T.pdf | |
![]() | BUV98F | BUV98F ST SMD or Through Hole | BUV98F.pdf |