창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA32P20T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTx32P20T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchP™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTA32P20T | |
관련 링크 | IXTA32, IXTA32P20T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
CS1206JRNPO0BN222 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CS1206JRNPO0BN222.pdf | ||
1812GA221MAT1A\SB | 220pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GA221MAT1A\SB.pdf | ||
AQ12EM330GAJWE | 33pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM330GAJWE.pdf | ||
DNA30E2200PZ | DIODE RECT 2200V 30A D2PAK-HV | DNA30E2200PZ.pdf | ||
1PMT5919CE3/TR7 | DIODE ZENER 5.6V 3W DO216AA | 1PMT5919CE3/TR7.pdf | ||
CMF55487K00DHBF | RES 487K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55487K00DHBF.pdf | ||
TEF6616T | TEF6616T NXP SO32 | TEF6616T.pdf | ||
GMC10X7R104K60NTLF | GMC10X7R104K60NTLF CCE SMD or Through Hole | GMC10X7R104K60NTLF.pdf | ||
BFG 195 E6327 | BFG 195 E6327 INF SMD or Through Hole | BFG 195 E6327.pdf | ||
5-5179180-2 | 5-5179180-2 AMP/TYCO 60PINS | 5-5179180-2.pdf | ||
NRSY471M16V8x11.5F | NRSY471M16V8x11.5F NIC DIP | NRSY471M16V8x11.5F.pdf | ||
HY57V641620HGLT-55 | HY57V641620HGLT-55 HYNIX TSOP54 | HY57V641620HGLT-55.pdf |