창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA1N80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P,Y)1N80 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 750mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTA1N80 | |
관련 링크 | IXTA, IXTA1N80 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
AB-7.3728MHZ-B2-T | 7.3728MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | AB-7.3728MHZ-B2-T.pdf | ||
IXTA2N80P | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 | IXTA2N80P.pdf | ||
HD404222C53S | HD404222C53S ORIGINAL DIP | HD404222C53S.pdf | ||
INA203AIDGST | INA203AIDGST BB/TI MSOP-10 | INA203AIDGST.pdf | ||
3232CB | 3232CB ORIGINAL SMD or Through Hole | 3232CB.pdf | ||
A29O021TL-70F | A29O021TL-70F AMIC SMD or Through Hole | A29O021TL-70F.pdf | ||
MIC6315-26D3UY TR SOT143-NR PB-FREE | MIC6315-26D3UY TR SOT143-NR PB-FREE MICREL SMD | MIC6315-26D3UY TR SOT143-NR PB-FREE.pdf | ||
VRB4815LD-30WH | VRB4815LD-30WH MORNSUN SMD or Through Hole | VRB4815LD-30WH.pdf | ||
DS80CPI102SQE | DS80CPI102SQE NS LLP | DS80CPI102SQE.pdf | ||
LY-M676 | LY-M676 OSRAM SMD or Through Hole | LY-M676.pdf | ||
R1275NS14K | R1275NS14K WESTCODE SMD or Through Hole | R1275NS14K.pdf | ||
V7-7B17D8-201 | V7-7B17D8-201 Honeywell SMD or Through Hole | V7-7B17D8-201.pdf |