창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA130N10T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTA(P)130N10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchMV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | Q3262430 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTA130N10T | |
관련 링크 | IXTA13, IXTA130N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
GXD26000 | 3 ~ 26pF Trimmer Capacitor 100V Side Adjustment Through Hole 0.402" L x 0.402" W (10.20mm x 10.20mm) | GXD26000.pdf | ||
RT0402CRD071K37L | RES SMD 1.37K OHM 1/16W 0402 | RT0402CRD071K37L.pdf | ||
3362P-1-104T | 3362P-1-104T BOURNS BI SMD or Through Hole | 3362P-1-104T.pdf | ||
SAFC1867.5T1897.5ML80T-TC04/4x4mm | SAFC1867.5T1897.5ML80T-TC04/4x4mm MURATA SMD or Through Hole | SAFC1867.5T1897.5ML80T-TC04/4x4mm.pdf | ||
RD22K | RD22K ORIGINAL SMD or Through Hole | RD22K.pdf | ||
SP4380F3. | SP4380F3. SIPEX SIP-2 | SP4380F3..pdf | ||
UC342A3120F | UC342A3120F SOSHIN 1812 | UC342A3120F.pdf | ||
LC74782M-9746-TRM | LC74782M-9746-TRM SANYO SMD | LC74782M-9746-TRM.pdf | ||
INA145U | INA145U BB SOP | INA145U.pdf | ||
FXR2V562YD | FXR2V562YD HIT DIP | FXR2V562YD.pdf | ||
LP3986-33 | LP3986-33 LOWPOWER SOT23-5 | LP3986-33.pdf | ||
KFG1G16U2M-DIB5 | KFG1G16U2M-DIB5 SAMSUNG BGA | KFG1G16U2M-DIB5.pdf |