창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA120N075T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P)120N075T2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchT2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4740pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTA120N075T2 | |
관련 링크 | IXTA120, IXTA120N075T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 9B25000007 | 25MHz ±10ppm 수정 18pF -20°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | 9B25000007.pdf | |
![]() | HD61K0005P | HD61K0005P HITACHI DIP-64 | HD61K0005P.pdf | |
![]() | AM27C512-20JM | AM27C512-20JM ORIGINAL DIP | AM27C512-20JM.pdf | |
![]() | AWOE | AWOE ORIGINAL SMD or Through Hole | AWOE.pdf | |
![]() | STGD3NB60S | STGD3NB60S ST TO-252 | STGD3NB60S.pdf | |
![]() | SMD C1206 33pF±10% 100V | SMD C1206 33pF±10% 100V TDK SMD or Through Hole | SMD C1206 33pF±10% 100V.pdf | |
![]() | RBAN16 | RBAN16 KOA SOP16 | RBAN16.pdf | |
![]() | MINIMELF8V2 | MINIMELF8V2 N/A SMD | MINIMELF8V2.pdf | |
![]() | LTN121XF-L01 | LTN121XF-L01 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTN121XF-L01.pdf | |
![]() | QEC113-FSC | QEC113-FSC FAIRCHILD ORIGIANL | QEC113-FSC.pdf | |
![]() | NL322522T-2R2K-N | NL322522T-2R2K-N HILISIN 1210 | NL322522T-2R2K-N.pdf | |
![]() | AR7643-LFQFN16 | AR7643-LFQFN16 HIMARK SMD or Through Hole | AR7643-LFQFN16.pdf |