창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXKH30N60C5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXKH30N60C5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXKH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXKH30N60C5 | |
| 관련 링크 | IXKH30, IXKH30N60C5 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | Y1625100R000A23R | RES SMD 100 OHM 0.05% 0.3W 01206 | Y1625100R000A23R.pdf | |
![]() | 025100TCM-M-D1R-L | 025100TCM-M-D1R-L FUJITSU SMD or Through Hole | 025100TCM-M-D1R-L.pdf | |
![]() | 1SA0603G42A0CC01 | 1SA0603G42A0CC01 ORIGINAL SMD | 1SA0603G42A0CC01.pdf | |
![]() | ELL6UH271M | ELL6UH271M PANASONIC original | ELL6UH271M.pdf | |
![]() | 39307086 | 39307086 MOLEX SMD or Through Hole | 39307086.pdf | |
![]() | CH08T0602 | CH08T0602 CHANGHONG DIP | CH08T0602.pdf | |
![]() | CXD1082AM-T5 | CXD1082AM-T5 SONY SOP | CXD1082AM-T5.pdf | |
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![]() | 32050 | 32050 AMP SMD or Through Hole | 32050.pdf | |
![]() | RR1220P-181-B | RR1220P-181-B ORIGINAL SMD or Through Hole | RR1220P-181-B.pdf | |
![]() | 02J5001JR | 02J5001JR VISHAY DIP | 02J5001JR.pdf | |
![]() | CZB2BSTTE190P | CZB2BSTTE190P KOA SMD | CZB2BSTTE190P.pdf |