창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXGT32N90B2D1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXG(H,T)32N90B2D1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFAST™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 900V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 64A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 200A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 32A | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 스위칭 에너지 | 2.2mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 89nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 20ns/260ns | |
| 테스트 조건 | 720V, 32A, 5옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 190ns | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXGT32N90B2D1 | |
| 관련 링크 | IXGT32N, IXGT32N90B2D1 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CBR04C829D5GAC | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C829D5GAC.pdf | |
![]() | SR155A101KAT | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155A101KAT.pdf | |
![]() | C941U102KVYDBAWL35 | 1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U102KVYDBAWL35.pdf | |
![]() | 1.5SMC62CA-E3/57T | TVS DIODE 53VWM 85VC DO214AB | 1.5SMC62CA-E3/57T.pdf | |
![]() | MP050C-E | 5MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/U | MP050C-E.pdf | |
![]() | CRGV2512F1M78 | RES SMD 1.78M OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F1M78.pdf | |
![]() | XR-2206 | XR-2206 XR DIP | XR-2206.pdf | |
![]() | 7134LA20J | 7134LA20J IDT SMD or Through Hole | 7134LA20J.pdf | |
![]() | C8051F124GQR | C8051F124GQR SLB SMD or Through Hole | C8051F124GQR.pdf | |
![]() | FODM3022R3 | FODM3022R3 FSC Call | FODM3022R3.pdf | |
![]() | C3225X5R1E475KT | C3225X5R1E475KT TDK SMD | C3225X5R1E475KT.pdf | |
![]() | MB40576. | MB40576. FUJ DIP16 | MB40576..pdf |